Transistor mosfet irfp064n

Répertoire mondial des transistors. Les principales caractéristique des transistors bipolaires. Caractéristiques techniques.

Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing . Disponibilité du produit: In stock.

HEXFET Power MOSFETs are well known for, . Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low . Descubrí la mejor forma de comprar online. Приятные цены, скидки на импортные . Package: TO-247AC, 1-gate, 2-drain, – sourse. Date de disponibilité: Share.

VDSS = 55V, RDS(on) = 0. And you cannot switch BJT with FET , without changing the entire.

A dans la gate du transistor. Queremos garantizar la mejor experiencia posible. Verifica si este producto es compatible con tu dispositivo en su página web . Amystore iRFP064N iRFP0iRF0mOSFET 110A, 200W – v. We used at lots of designs.

Original Internal Rectifier (IRF) brand. Corrente massima continuativa di drain, 1A. Un transistor est un composant électronique semi- conducteur qui permet de réguler un courant (ou une tension) à travers une . Tensione massima gate source, ±V.

Operating temperature: -to 1Deg C. Preço Loja – Iva incluído. SeguirpreçoA seguirpreço. By providing sufficient driving to the . Opis: N-tip, 55V, 110A, 200W, Rds: 0. Cómpralo en Mercado Libre a $ 65.

Transistor , N-Channel power mosfet. TRANSISTORES MOSFET DE POTENCIA.

Ordenados por características. IRFP064N , N, 11 5 20 0. FQA12N60C, N, 1 6 24 0. En MOSFET – transistor är en spänningsstyrd komponent som kan anslutas direkt till högohmig källa. Den är därför lämplig för användning som omkopplare eller .