Absolute Maximum Ratings. Id=110A⑤) ,alldatasheet, Fiche. Répertoire mondial des transistors. Les principales caractéristique des transistors bipolaires. Caractéristiques techniques.
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the. Advanced Process Technology. Ultra Low On-Resistance. Mouser propose le catalogue, la tarification et les fiches . N-Channel Power mosfets.
Be sure to add me to yourfavorites list ! Other Related Documents, Part Number Guide.
Disponibilité du produit: In stock. EAS capability and ultra low RDS(ON) is . Ihr Geschäft für Technologie . Commandez maintenant en ligne! I have an old MTX thunder 2that kept blowing the power supply . I am new with MOSFET transistors.
Большой выбор MOSFET, полевых транзисторов. Приятные цены, скидки на импортные . NTE Data Sheet Data Sheet. Producator: INTERNATIONAL RECTIFIER.
Opis: N-tip, 55V, 110A, 200W, Rds: 0. Gyártó, INTERNATIONAL RECTIFIER, Infineon (IRF). Tokozás, TO22 TO220AB. VDSS = 55V, RDS(ON) = 8. Datasheet (data sheet) search for . Tranzistor MOSFET je stavební součástka řízená napětím, kterou lze připojit přímo na vysokoohmové zdroje.
Je proto vhodná pro použití jako vypínač nebo. Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs). Aynı gün kargo, taksit seçenekleri ve kapıda ödeme avantajlarıyla hemen satın . Power MOSFETs from Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit is combined with the . Uds: V, Idss: 1A, Pd: 2W, Rds: 0Ohm Unipolární tranzistor N-Kanál, Provedení: Vývodové, Idss = 1A, Vds = V, Pd = 2W, Rds = 0Ohm .